창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S303AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S3-03 IPP80N04S3-03-ND IPP80N04S303 SP000261229 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S303AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S3, IPP80N04S303AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VI-J73-EY | VI-J73-EY VICOA MODULE | VI-J73-EY.pdf | ||
XC5206-4VQG100 | XC5206-4VQG100 XILINX BGA | XC5206-4VQG100.pdf | ||
HSMW-120 | HSMW-120 AVAGO SMD | HSMW-120.pdf | ||
T497F156K010 | T497F156K010 KEMET SMD | T497F156K010.pdf | ||
805-S-40 | 805-S-40 FUTURE SMD or Through Hole | 805-S-40.pdf | ||
N82HS195N/AN | N82HS195N/AN PHIL SMD or Through Hole | N82HS195N/AN.pdf | ||
72R09626J01 | 72R09626J01 HP DIP24 | 72R09626J01.pdf | ||
NRWS3R3M50V5x11F | NRWS3R3M50V5x11F NIC DIP | NRWS3R3M50V5x11F.pdf | ||
8Z84B | 8Z84B ORIGINAL SOT23-5 | 8Z84B.pdf | ||
1SMA5.0ACT3 | 1SMA5.0ACT3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1SMA5.0ACT3.pdf | ||
HF41F-5-Z8SG | HF41F-5-Z8SG ORIGINAL SMD or Through Hole | HF41F-5-Z8SG.pdf |