창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW30NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30NM50N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-8795-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW30NM50N | |
| 관련 링크 | STW30N, STW30NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| UCX1E152MNQ1MS | 1500µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 50 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | UCX1E152MNQ1MS.pdf | ||
![]() | Y16266K57000B9R | RES SMD 6.57K OHM 0.1% 0.3W 1506 | Y16266K57000B9R.pdf | |
![]() | CW02B15R00JE12HE | RES 15 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B15R00JE12HE.pdf | |
![]() | MBB02070C8451DC100 | RES 8.45K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C8451DC100.pdf | |
![]() | 53309-3271 | 53309-3271 MOLEX SMD | 53309-3271.pdf | |
![]() | HI1-302-2 | HI1-302-2 ORIGINAL CDIP-14P | HI1-302-2.pdf | |
![]() | R5460N214AE-TR-F | R5460N214AE-TR-F RICOH SMD or Through Hole | R5460N214AE-TR-F.pdf | |
![]() | 2N2678 | 2N2678 MOT CAN3 | 2N2678.pdf | |
![]() | IL203B-643WP | IL203B-643WP SIEMENS DIP6 | IL203B-643WP.pdf | |
![]() | SP3P8245XZZ-QW85 | SP3P8245XZZ-QW85 SAMSUNG SMD or Through Hole | SP3P8245XZZ-QW85.pdf | |
![]() | PHE840EB6390MB16R17 | PHE840EB6390MB16R17 KEMET SMD or Through Hole | PHE840EB6390MB16R17.pdf |