창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R225C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP65R225C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 225m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 996pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000929432 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R225C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R225, IPP65R225C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | F1778410M3DEB0 | 0.1µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | F1778410M3DEB0.pdf | |
![]() | SIT1602AIE1-XXE | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602AIE1-XXE.pdf | |
![]() | BYG10JHE3/TR | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | BYG10JHE3/TR.pdf | |
![]() | SFH 3219-Z | PHOTOTRANS NPN TOPLED W/LENS SMD | SFH 3219-Z.pdf | |
![]() | DAC-681C | DAC-681C DATEL DIP | DAC-681C.pdf | |
![]() | LSI53C876E | LSI53C876E LSI BGA-256 | LSI53C876E.pdf | |
![]() | K180K15C0GF5.L2 | K180K15C0GF5.L2 VISHAY DIP | K180K15C0GF5.L2.pdf | |
![]() | F7904 | F7904 IOR SOP-8 | F7904.pdf | |
![]() | VC30R2E273K-TS | VC30R2E273K-TS MARUWA SMD | VC30R2E273K-TS.pdf | |
![]() | HK-AE06A4R2F | HK-AE06A4R2F sumida SMD or Through Hole | HK-AE06A4R2F.pdf | |
![]() | DS1265Y-100+ | DS1265Y-100+ DALLAS DIP | DS1265Y-100+.pdf |