창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP086N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx08xN10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP086N10N3 G IPP086N10N3 G-ND IPP086N10N3G SP000680840 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP086N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP086N10N, IPP086N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B43866C5336M | 33µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | B43866C5336M.pdf | |
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![]() | P51-1500-S-Z-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-S-Z-D-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | MAN6280 | MAN6280 Fairchild DIP | MAN6280.pdf | |
![]() | BD6087BGU | BD6087BGU ROHM QFN | BD6087BGU.pdf | |
![]() | HP70K | HP70K DAITO SMD or Through Hole | HP70K.pdf | |
![]() | LT1970ACFE#PBF/AI | LT1970ACFE#PBF/AI LT TSOP | LT1970ACFE#PBF/AI.pdf | |
![]() | S70FNR-12 | S70FNR-12 Origin SMD or Through Hole | S70FNR-12.pdf | |
![]() | HD64F3684GHV | HD64F3684GHV Renesas QFP | HD64F3684GHV.pdf | |
![]() | 04025A1ROCAT2A | 04025A1ROCAT2A SMD SMD | 04025A1ROCAT2A.pdf |