창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP045N10N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP045N10N3 G IPP045N10N3 G-ND IPP045N10N3G SP000680794 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP045N10N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP045N10N, IPP045N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FDC5661N_F085 | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT | FDC5661N_F085.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1580U | RES SMD 158 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1580U.pdf | |
![]() | CRCW020130R0JNED | RES SMD 30 OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW020130R0JNED.pdf | |
![]() | CRCW0805127KFKEAHP | RES SMD 127K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW0805127KFKEAHP.pdf | |
![]() | SN74HC366N | SN74HC366N NXP SMD or Through Hole | SN74HC366N.pdf | |
![]() | PSB21521EV1.4-G | PSB21521EV1.4-G INFINEON ORIGINAL | PSB21521EV1.4-G.pdf | |
![]() | TLE6250E | TLE6250E ORIGINAL SMD or Through Hole | TLE6250E.pdf | |
![]() | IDT74FCT574TS | IDT74FCT574TS IDT SOP20 | IDT74FCT574TS.pdf | |
![]() | CD5231B | CD5231B MICROSEMI SMD | CD5231B.pdf | |
![]() | OZDZ10-Y | OZDZ10-Y TOSHIBA SOT-0805 | OZDZ10-Y.pdf | |
![]() | 45DB011D | 45DB011D ATMEL SOP8 | 45DB011D.pdf | |
![]() | JAN/34102B2A | JAN/34102B2A N/A NULL | JAN/34102B2A.pdf |