Infineon Technologies IPD053N08N3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD053N08N3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPD053N08N3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 854.43621
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPD053N08N3GATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD053N08N3GATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD053N08N3GATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPD053N08N3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD053N08N3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD053N08N3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD053N08N3 G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD053N08N3GATMA1-ND IPD053N08N3GATMA1TR SP001127818 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD053N08N3GATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD053N08N, IPD053N08N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPD053N08N3GATMA1 의 관련 제품
-H.jpg) | CL31A106KQHNNWE | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31A106KQHNNWE.pdf | |
 | PFRA.300.3 | FUSE PTC 3.00A 30V RESET RADIAL | PFRA.300.3.pdf | |
 | CSTCE8M00G52-R0 | 8MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 10pF ±0.2% -20°C ~ 80°C Surface Mount | CSTCE8M00G52-R0.pdf | |
 | MMBZ5252B-E3-08 | DIODE ZENER 24V 225MW SOT23-3 | MMBZ5252B-E3-08.pdf | |
 | 1N5956BPE3/TR8 | DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL | 1N5956BPE3/TR8.pdf | |
 | MNR18E0APJ201 | RES ARRAY 8 RES 200 OHM 1506 | MNR18E0APJ201.pdf | |
| Y14537R68000A9L | RES 7.68 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y14537R68000A9L.pdf | |
| MC13191FCR | MC13191FCR MC QFN | MC13191FCR.pdf | |
| 100K(1003)±1%0402 | 100K(1003)±1%0402 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100K(1003)±1%0402.pdf | |
| FTR-B4CA024Z-B05 | FTR-B4CA024Z-B05 fujitsu SMD or Through Hole | FTR-B4CA024Z-B05.pdf | |
| TC4053BFT(PB) | TC4053BFT(PB) TOSHIBA SOP | TC4053BFT(PB).pdf | |
| LA60Q35-2 | LA60Q35-2 Littelfuse SMD or Through Hole | LA60Q35-2.pdf |