창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB26CNE8N G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx25,26CNE8N G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 85V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 39µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000292948 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB26CNE8N G | |
| 관련 링크 | IPB26CN, IPB26CNE8N G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0402P0N9CT000 | 0.9nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 400 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P0N9CT000.pdf | |
![]() | MGV1207R82M-10 | 820nH Shielded Wirewound Inductor 33A 1.9 mOhm Max Nonstandard | MGV1207R82M-10.pdf | |
![]() | 61189-001 /NCR0390178 | 61189-001 /NCR0390178 NCR QFP-44 | 61189-001 /NCR0390178.pdf | |
![]() | S-1133B13-I8T1G | S-1133B13-I8T1G SEIKO 07PB | S-1133B13-I8T1G.pdf | |
![]() | SAP16-PY | SAP16-PY SK TO-5 | SAP16-PY.pdf | |
![]() | AS2000T | AS2000T PHI SOP8S | AS2000T.pdf | |
![]() | TLV2772AQPW | TLV2772AQPW BB/TI TSSOP8 | TLV2772AQPW.pdf | |
![]() | EPF8636AGI192-2 | EPF8636AGI192-2 ALTERA SMD or Through Hole | EPF8636AGI192-2.pdf | |
![]() | 13001-6D | 13001-6D CJ/FSC SMD or Through Hole | 13001-6D.pdf | |
![]() | DAP202U T106 | DAP202U T106 ROHM SOT423 | DAP202U T106.pdf | |
![]() | F2J6TP | F2J6TP ORIGIN SMD | F2J6TP.pdf | |
![]() | G4A-1A-P12VDC | G4A-1A-P12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G4A-1A-P12VDC.pdf |