창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN2C01FEYTE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN2C01FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V | |
전력 - 최대 | 100mW | |
주파수 - 트랜지션 | 60MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | HN2C01FEYTE85LFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN2C01FEYTE85LF | |
관련 링크 | HN2C01FEY, HN2C01FEYTE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | B41888C6228M | 2200µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 22 mOhm @ 10kHz 10000 Hrs @ 105°C | B41888C6228M.pdf | |
![]() | VJ1206Y151JXGAT5Z | 150pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y151JXGAT5Z.pdf | |
![]() | VS-ST333S08MFL1 | SCR 800V 518A TO-118 | VS-ST333S08MFL1.pdf | |
![]() | PM518S-120-RC | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1A 160 mOhm Max Nonstandard | PM518S-120-RC.pdf | |
![]() | PHP00805E3880BBT1 | RES SMD 388 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E3880BBT1.pdf | |
![]() | RNMF12FTD1K30 | RES 1.3K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTD1K30.pdf | |
![]() | SWCS75-470MT | SWCS75-470MT Sunlord 7.07.85.0 | SWCS75-470MT.pdf | |
![]() | PZ5064CS10BC | PZ5064CS10BC PHILIPS QFP44 | PZ5064CS10BC.pdf | |
![]() | FH12-30S-0.2SV | FH12-30S-0.2SV HIROSE SMD or Through Hole | FH12-30S-0.2SV.pdf | |
![]() | M50757-610SP | M50757-610SP HITACHI DIP52 | M50757-610SP.pdf | |
![]() | LTC3548AIDD | LTC3548AIDD LT SMD or Through Hole | LTC3548AIDD.pdf | |
![]() | P223-156.25MHZ | P223-156.25MHZ CONNORWINFIELD ORIGINAL | P223-156.25MHZ.pdf |