창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GQM22M5C2H6R8DB01K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM22M5C2H6R8DB01 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GQM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 6.8pF | |
허용 오차 | ±0.5pF | |
전압 - 정격 | 500V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1111(2828 미터법) | |
크기/치수 | 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.053"(1.35mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GQM22M5C2H6R8DB01K | |
관련 링크 | GQM22M5C2H, GQM22M5C2H6R8DB01K 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
![]() | 135D146X9125F2 | 14µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 125V Axial 5.7 Ohm 0.296" Dia x 0.641" L (7.52mm x 16.28mm) | 135D146X9125F2.pdf | |
![]() | CX3225GB24576D0HEQCC | 24.576MHz ±20ppm 수정 8pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB24576D0HEQCC.pdf | |
![]() | SIT8008BI-23-33S-100.000000G | OSC XO 3.3V 100MHZ | SIT8008BI-23-33S-100.000000G.pdf | |
![]() | LR2010-R20FW | RES SMD 0.2 OHM 1% 1W 2010 | LR2010-R20FW.pdf | |
![]() | RC0603DR-07787RL | RES SMD 787 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07787RL.pdf | |
![]() | ERJ-S08J134V | RES SMD 130K OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-S08J134V.pdf | |
![]() | UF3003-T/B | UF3003-T/B LITE-ON SMD or Through Hole | UF3003-T/B.pdf | |
![]() | G4V509-P | G4V509-P ATX SOP | G4V509-P.pdf | |
![]() | DS28CN01 | DS28CN01 DALLAS MSOP8 | DS28CN01.pdf | |
![]() | BSR114/M44 | BSR114/M44 PH SOT-23 | BSR114/M44.pdf | |
![]() | RCH110CNP-3R9M | RCH110CNP-3R9M SUMIDA SMD or Through Hole | RCH110CNP-3R9M.pdf | |
![]() | CL9100-P160-MV | CL9100-P160-MV C-CUBE QFP | CL9100-P160-MV.pdf |