창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N80CYDTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP8N80C, FQPF8N80C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 59W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQPF8N80CYDTU | |
관련 링크 | FQPF8N8, FQPF8N80CYDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA6P3X7R1H475K250AD | 4.7µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6P3X7R1H475K250AD.pdf | |
![]() | 52S20450107 | 52S20450107 ORIGINAL DIP-40 | 52S20450107.pdf | |
![]() | 6F0443313.2 | 6F0443313.2 ORIGINAL BGA | 6F0443313.2.pdf | |
![]() | SST28LF040200-4I-EH | SST28LF040200-4I-EH SST TSOP | SST28LF040200-4I-EH.pdf | |
![]() | TK11322BMCL | TK11322BMCL TOKO SMD or Through Hole | TK11322BMCL.pdf | |
![]() | ICS1885M | ICS1885M ORIGINAL SMD | ICS1885M.pdf | |
![]() | 216YDJAG23HG | 216YDJAG23HG LTI BGA | 216YDJAG23HG.pdf | |
![]() | CLY2-E6327 | CLY2-E6327 Sie SOT163 | CLY2-E6327.pdf | |
![]() | CXD70108-8 | CXD70108-8 SONY DIP40 | CXD70108-8.pdf | |
![]() | FC-N2-XR79-HRF | FC-N2-XR79-HRF Frae SMD or Through Hole | FC-N2-XR79-HRF.pdf | |
![]() | US890EUK | US890EUK MELEXIS SIP-3 | US890EUK.pdf | |
![]() | UPD6124G-555 | UPD6124G-555 NEC SOP20 | UPD6124G-555.pdf |