창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA6N90C_F109 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA6N90C_F109 | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 198W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA6N90C_F109 | |
관련 링크 | FQA6N90, FQA6N90C_F109 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CRCW060312R0JNTB | RES SMD 12 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060312R0JNTB.pdf | |
![]() | E3ZM-T63H 2M | THRU-BEAM 0.8M NPN TR CBL 2M | E3ZM-T63H 2M.pdf | |
![]() | 1KZE63VB152M18X35LL | 1KZE63VB152M18X35LL NIPPON DIP | 1KZE63VB152M18X35LL.pdf | |
![]() | MAC228A4 | MAC228A4 ON SMD or Through Hole | MAC228A4.pdf | |
![]() | 50SKV0R1M4X5.5 | 50SKV0R1M4X5.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 50SKV0R1M4X5.5.pdf | |
![]() | S19GL016ATFA00E00E | S19GL016ATFA00E00E SPANSION SMD or Through Hole | S19GL016ATFA00E00E.pdf | |
![]() | ACT4532-102-2P-TLD01 | ACT4532-102-2P-TLD01 TDK 4532 | ACT4532-102-2P-TLD01.pdf | |
![]() | JK60-050 | JK60-050 JK DIP | JK60-050.pdf | |
![]() | MQE002-902M | MQE002-902M muRata SMD or Through Hole | MQE002-902M.pdf | |
![]() | E90282-9363 | E90282-9363 ROHM QFP | E90282-9363.pdf | |
![]() | 340851 | 340851 ORIGINAL SOP8 | 340851.pdf |