창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD4N60NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD4N60NZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD4N60NZ-ND FDD4N60NZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD4N60NZ | |
관련 링크 | FDD4N, FDD4N60NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MZA25VC331MH10TP | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | MZA25VC331MH10TP.pdf | ||
ACPL-32JT-500E | 2.5A Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel 16-SOIC | ACPL-32JT-500E.pdf | ||
RG1608N-1432-W-T1 | RES SMD 14.3K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1432-W-T1.pdf | ||
KSD737 | KSD737 ORIGINAL SMD or Through Hole | KSD737.pdf | ||
LV139A. | LV139A. TI TSSOP16 | LV139A..pdf | ||
TC74HC4072AFG | TC74HC4072AFG TOSHIBA SOP | TC74HC4072AFG.pdf | ||
10250-PB17PE | 10250-PB17PE M STOCK | 10250-PB17PE.pdf | ||
TOTX193(10M | TOTX193(10M TOSHIBA SMD or Through Hole | TOTX193(10M.pdf | ||
PBM9830 | PBM9830 ERICSSON PLCC | PBM9830.pdf | ||
CY62136CV30LL-70BA | CY62136CV30LL-70BA CYPRESS BGA77 | CY62136CV30LL-70BA.pdf | ||
F312182PCM | F312182PCM TI QFP-L148P | F312182PCM.pdf | ||
LP38690DT-2.5 | LP38690DT-2.5 ORIGINAL DPAK | LP38690DT-2.5 .pdf |