창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTC124EET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DTC124EET1G-ND DTC124EET1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTC124EET1G | |
| 관련 링크 | DTC124, DTC124EET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | GRM2166T1H331JD15D | 330pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H331JD15D.pdf | |
![]() | 0530CDMCCDS-1R2MC | 1.2µH Shielded Molded Inductor 8.7A 16 mOhm Max Nonstandard | 0530CDMCCDS-1R2MC.pdf | |
![]() | YC162-FR-07499KL | RES ARRAY 2 RES 499K OHM 0606 | YC162-FR-07499KL.pdf | |
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![]() | B130LAM-7-F | B130LAM-7-F DIODES SMD1206 | B130LAM-7-F.pdf | |
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![]() | PDTD123TT,215 | PDTD123TT,215 NXP Onlyoriginal | PDTD123TT,215.pdf | |
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