창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMS3016SFG-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMS3016SFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 11.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1886pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 980mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | DMS3016SFG-13DICT DMS3016SFG13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMS3016SFG-13 | |
| 관련 링크 | DMS3016, DMS3016SFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | K122J20C0GK53L2 | 1200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K122J20C0GK53L2.pdf | |
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![]() | MBM29DL161TE-70TN | MBM29DL161TE-70TN FUJIS TSOP | MBM29DL161TE-70TN.pdf | |
![]() | LVG3330/P1/TRS-XN | LVG3330/P1/TRS-XN LIGITEK ROHS | LVG3330/P1/TRS-XN.pdf | |
![]() | MCM511001AJ70 | MCM511001AJ70 mot SMD or Through Hole | MCM511001AJ70.pdf |