창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CS22010.000MABJ-UT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CS22010.000MABJ-UT | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CS22010.000MABJ-UT | |
관련 링크 | CS22010.00, CS22010.000MABJ-UT 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MAL215979829E3 | 82µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 1.35 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | MAL215979829E3.pdf | |
4448R-110M | Unshielded 2 Coil Inductor Array 20µH Inductance - Connected in Series 5µH Inductance - Connected in Parallel 14 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 4.4A Nonstandard | 4448R-110M.pdf | ||
![]() | PD105R-474K | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.48 Ohm Max Nonstandard | PD105R-474K.pdf | |
![]() | ERA-2ARB243X | RES SMD 24K OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2ARB243X.pdf | |
![]() | E-TA3216 T 4DB N7 | RF Attenuator 4dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 1206 (3216 Metric) | E-TA3216 T 4DB N7.pdf | |
![]() | KM611001J-35 | KM611001J-35 SAMSUNG SOJ28 | KM611001J-35.pdf | |
![]() | RCH664NP-18OL | RCH664NP-18OL SUMIDA SMD or Through Hole | RCH664NP-18OL.pdf | |
![]() | DTZ TT11 24B | DTZ TT11 24B ROHM SOT-123 | DTZ TT11 24B.pdf | |
![]() | VI-LU1-IV | VI-LU1-IV VICOR SMD or Through Hole | VI-LU1-IV.pdf | |
![]() | MB29LV004BC-70PTN | MB29LV004BC-70PTN FUJ TSOP | MB29LV004BC-70PTN.pdf | |
![]() | S6396TC3K | S6396TC3K TOSHIBA ZIP | S6396TC3K.pdf | |
![]() | NACVF680M160V18X22TR13T2F | NACVF680M160V18X22TR13T2F NIC SMD or Through Hole | NACVF680M160V18X22TR13T2F.pdf |