창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-B3V9,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84J Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 550mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934060962115 BZX84J-B3V9 T/R BZX84J-B3V9 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84J-B3V9,115 | |
관련 링크 | BZX84J-B3, BZX84J-B3V9,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
RT1210CRD0734RL | RES SMD 34 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD0734RL.pdf | ||
CMF60110K00BHR6 | RES 110K OHM 1W .1% AXIAL | CMF60110K00BHR6.pdf | ||
GT21H24S1W | GT21H24S1W GENITOP SMD or Through Hole | GT21H24S1W.pdf | ||
LSI53C1030 B2 | LSI53C1030 B2 LSI BGA | LSI53C1030 B2.pdf | ||
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DB258 | DB258 ORIGINAL DIP-8 | DB258.pdf | ||
AR30A*N-1010B | AR30A*N-1010B ORIGINAL SMD or Through Hole | AR30A*N-1010B.pdf | ||
SBR3508 | SBR3508 ORIGINAL SMD or Through Hole | SBR3508.pdf | ||
4416-010D | 4416-010D ORIGINAL SMD or Through Hole | 4416-010D.pdf | ||
HVC202BTRF | HVC202BTRF HITACHI SMD or Through Hole | HVC202BTRF.pdf | ||
QS3VH800ZQ | QS3VH800ZQ IDT Call | QS3VH800ZQ.pdf | ||
25712100000 | 25712100000 BJB SMD or Through Hole | 25712100000.pdf |