창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C3V0,135 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933699390135 BZV55-C3V0 /T3 BZV55-C3V0 /T3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55-C3V0,135 | |
| 관련 링크 | BZV55-C3, BZV55-C3V0,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | CK45-B3AD821KYNN | 820pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.217" Dia(5.50mm) | CK45-B3AD821KYNN.pdf | |
![]() | D330G25C0GL6TJ5R | 33pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D330G25C0GL6TJ5R.pdf | |
![]() | B85754.4526MY | B85754.4526MY DALSA DIP | B85754.4526MY.pdf | |
![]() | AT45DB161BRI | AT45DB161BRI ATMEL SOP28 | AT45DB161BRI.pdf | |
![]() | 330UF 10V D | 330UF 10V D AVX SMD or Through Hole | 330UF 10V D.pdf | |
![]() | HD74LS74N | HD74LS74N HIT SMD or Through Hole | HD74LS74N.pdf | |
![]() | SN65C3232PWRE4 | SN65C3232PWRE4 TI TSSOP | SN65C3232PWRE4.pdf | |
![]() | DW864721V-CA1 | DW864721V-CA1 ORIGINAL SMD or Through Hole | DW864721V-CA1.pdf | |
![]() | 4325H9A | 4325H9A ORIGINAL SMD or Through Hole | 4325H9A.pdf | |
![]() | TC9200 | TC9200 ORIGINAL DIP | TC9200.pdf | |
![]() | BAT0339F | BAT0339F ORIGINAL SMD14 | BAT0339F.pdf |