창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSR302NL6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSR302N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 30µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.6nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSR302N L6327 BSR302N L6327-ND BSR302N L6327TR-ND BSR302NL6327 SP000257785 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSR302NL6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BSR302NL63, BSR302NL6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| UCD1E151MNL1GS | 150µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | UCD1E151MNL1GS.pdf | ||
![]() | IS43R16160B-6TLT | IS43R16160B-6TLT ISSI TSOP-44L | IS43R16160B-6TLT.pdf | |
![]() | HO74HC51P | HO74HC51P ORIGINAL DIP-14 | HO74HC51P.pdf | |
![]() | RC5025J681CS | RC5025J681CS SAMSUNG SMD | RC5025J681CS.pdf | |
![]() | VI-2T1-IW | VI-2T1-IW VICOR 110V12V100W | VI-2T1-IW.pdf | |
![]() | UREE8-249A | UREE8-249A ALPS SMD or Through Hole | UREE8-249A.pdf | |
![]() | L2A1570 | L2A1570 ORIGINAL BGA | L2A1570.pdf | |
![]() | 93lc66a-i-sn | 93lc66a-i-sn microchip SMD or Through Hole | 93lc66a-i-sn.pdf | |
![]() | LTC2754CUKG-12#PBF/I | LTC2754CUKG-12#PBF/I LT SMD or Through Hole | LTC2754CUKG-12#PBF/I.pdf | |
![]() | C5880-R | C5880-R ROHM TO-251252 | C5880-R.pdf |