창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AON6924 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AON6924 DFN5x6A-8L Pkg Drawing | |
| 기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
| 주요제품 | AON6924 30 V Asymmetric N-Channel MOSFET | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 26/Jan/2016 EOL Retraction 09/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A, 28A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1560pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W, 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN-EP(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 785-1371-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AON6924 | |
| 관련 링크 | AON6, AON6924 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | RHEL81H152K1DBA03A | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 X8L 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHEL81H152K1DBA03A.pdf | |
![]() | CRCW04021K80JNEDHP | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/5W 0402 | CRCW04021K80JNEDHP.pdf | |
![]() | CW02C820R0JS70 | RES 820 OHM 3.25W 5% AXIAL | CW02C820R0JS70.pdf | |
![]() | CW010200R0KE12 | RES 200 OHM 13W 10% AXIAL | CW010200R0KE12.pdf | |
![]() | 0603B122K500CT | 0603B122K500CT WalsinTechnologyCorporation SMD or Through Hole | 0603B122K500CT.pdf | |
![]() | LNJ282RKRAD | LNJ282RKRAD PANASONIC ROHS | LNJ282RKRAD.pdf | |
![]() | H6080NLT | H6080NLT PLUSE SMD or Through Hole | H6080NLT.pdf | |
![]() | CD4541DR | CD4541DR TI SMD | CD4541DR.pdf | |
![]() | BBGS-4AA | BBGS-4AA ALCATE BGA | BBGS-4AA.pdf | |
![]() | MAX3869E | MAX3869E MAX QFP | MAX3869E.pdf | |
![]() | MC9S12A/B/DJ128 | MC9S12A/B/DJ128 MC QFP | MC9S12A/B/DJ128.pdf |