창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AET660SD00-370MS8R-P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | AET660SD00-370MS8R-P | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | Box | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | AET660SD00-370MS8R-P | |
| 관련 링크 | AET660SD00-3, AET660SD00-370MS8R-P 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y391KBLAT4X | 390pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y391KBLAT4X.pdf | |
![]() | CDV30FJ102JO3 | MICA | CDV30FJ102JO3.pdf | |
![]() | 0201YJ3R0BBWTR | 3.0pF Thin Film Capacitor 16V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 0201YJ3R0BBWTR.pdf | |
![]() | C2012JF1H225ZT000N | C2012JF1H225ZT000N TDK SMD | C2012JF1H225ZT000N.pdf | |
![]() | K4B1G1646E-HCF8T00 | K4B1G1646E-HCF8T00 SAMSUNG BGA100 | K4B1G1646E-HCF8T00.pdf | |
![]() | AD01(OT94) | AD01(OT94) AD DIP-18 | AD01(OT94).pdf | |
![]() | k384 | k384 gpb SMD or Through Hole | k384.pdf | |
![]() | RH-IXA002JB | RH-IXA002JB ORIGINAL DIP | RH-IXA002JB.pdf | |
![]() | QNM70AI(12.4416MHZ) | QNM70AI(12.4416MHZ) N/A DIP | QNM70AI(12.4416MHZ).pdf | |
![]() | U2745BMFB | U2745BMFB tfk SMD or Through Hole | U2745BMFB.pdf | |
![]() | SLA4Q | SLA4Q Intel BGA | SLA4Q.pdf | |
![]() | SFGCG450F | SFGCG450F MURATA SMD or Through Hole | SFGCG450F.pdf |