창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIRA34DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PowerPak SO-8 Drawing SIRA34DP-T1-GE3 | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 31.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIRA34DP-T1-GE3-ND SIRA34DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIRA34DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIRA34DP-, SIRA34DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
251R15S2R4CV4E | 2.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S2R4CV4E.pdf | ||
AT1206CRD075K23L | RES SMD 5.23KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD075K23L.pdf | ||
PAL16R8DMJ/883 | PAL16R8DMJ/883 MMI DIP | PAL16R8DMJ/883.pdf | ||
PCF80C592FFA | PCF80C592FFA NXP PLCC | PCF80C592FFA.pdf | ||
BM20TPM-2H | BM20TPM-2H ASTEC SMD or Through Hole | BM20TPM-2H.pdf | ||
FAWS-2415 | FAWS-2415 DANUBE DIP5 | FAWS-2415.pdf | ||
106PHC250KN | 106PHC250KN ILLINOIS DIP | 106PHC250KN.pdf | ||
TC4S01F(C3) | TC4S01F(C3) TOSHIBA SOT153 | TC4S01F(C3).pdf | ||
CMR06F911G0DP | CMR06F911G0DP CORNELL SMD or Through Hole | CMR06F911G0DP.pdf | ||
MIC607U | MIC607U MICMEL QFN | MIC607U.pdf | ||
90120-0784 | 90120-0784 MOLEX SMD or Through Hole | 90120-0784.pdf | ||
LM25115MT/NOPB | LM25115MT/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM25115MT/NOPB.pdf |