창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ19D5DO41E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 2EZ19D5DO41E3MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ19D5DO41E3 | |
| 관련 링크 | 2EZ19D5, 2EZ19D5DO41E3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012N-3571-W-T5 | RES SMD 3.57KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-3571-W-T5.pdf | |
![]() | LT6207CGN | LT6207CGN LT SMD or Through Hole | LT6207CGN.pdf | |
![]() | HFKM-012-2Z-S | HFKM-012-2Z-S ORIGINAL DIP-SOP | HFKM-012-2Z-S.pdf | |
![]() | SSM6J07FU(T5RSONYF) | SSM6J07FU(T5RSONYF) TOSHIBA SOT23-6 | SSM6J07FU(T5RSONYF).pdf | |
![]() | 2SD1164-Z-M | 2SD1164-Z-M NEC TO-252 | 2SD1164-Z-M.pdf | |
![]() | CK-L12AFS1-V2U-001 | CK-L12AFS1-V2U-001 NKKSWITCHES SMD or Through Hole | CK-L12AFS1-V2U-001.pdf | |
![]() | D1HNC60T4G | D1HNC60T4G ST TO252 | D1HNC60T4G.pdf | |
![]() | APT30GT60BRDG2 | APT30GT60BRDG2 APT SMD or Through Hole | APT30GT60BRDG2.pdf | |
![]() | MiC2214-PWBML TR | MiC2214-PWBML TR Micrel SMD or Through Hole | MiC2214-PWBML TR.pdf | |
![]() | TMS4C2970DT30 | TMS4C2970DT30 ti SMD or Through Hole | TMS4C2970DT30.pdf | |
![]() | 594D107X906R3B2Te3 | 594D107X906R3B2Te3 VISHAY B | 594D107X906R3B2Te3.pdf | |
![]() | 215HSP4ALA13FG RC410S | 215HSP4ALA13FG RC410S ATI BGA | 215HSP4ALA13FG RC410S.pdf |