창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N968B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N968BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N968B | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N968B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT8008ACR1-XXS | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT8008ACR1-XXS.pdf | |
![]() | EAPDSZ4439A1 | Photodiode 940nm 2-SMD, Gull Wing | EAPDSZ4439A1.pdf | |
![]() | ATR2805SF/CH | ATR2805SF/CH ORIGINAL 10P | ATR2805SF/CH.pdf | |
![]() | PME271Y | PME271Y RIFA SMD or Through Hole | PME271Y.pdf | |
![]() | STY11V | STY11V ST DIP | STY11V.pdf | |
![]() | 56S873-1 | 56S873-1 INTERSIL DIP-16 | 56S873-1.pdf | |
![]() | 10136-6000 EL | 10136-6000 EL M SMD or Through Hole | 10136-6000 EL.pdf | |
![]() | VS1011E-S | VS1011E-S VLSI SMD or Through Hole | VS1011E-S.pdf | |
![]() | GS8342T09AGE-250 | GS8342T09AGE-250 GSITechnologyInc NA | GS8342T09AGE-250.pdf | |
![]() | CA3100B | CA3100B HAR CAN | CA3100B.pdf |