창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6011A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6011A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6011A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AI-12-18S-2.048000D | OSC XO 1.8V 2.048MHZ ST | SIT8008AI-12-18S-2.048000D.pdf | |
![]() | HD404222C59S | HD404222C59S HITCHIA DIP | HD404222C59S.pdf | |
![]() | 450MXG56M22X25 | 450MXG56M22X25 RUBYCON DIP | 450MXG56M22X25.pdf | |
![]() | 53553-1409 | 53553-1409 Tyco NA | 53553-1409.pdf | |
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![]() | AS3900PWB | AS3900PWB China SMD or Through Hole | AS3900PWB.pdf | |
![]() | DS75154N 75154PC | DS75154N 75154PC NS DIP 16 | DS75154N 75154PC.pdf | |
![]() | MAX809MD SOT23-AMW2 | MAX809MD SOT23-AMW2 PHILIPS SMD or Through Hole | MAX809MD SOT23-AMW2.pdf | |
![]() | IR3M49U7 | IR3M49U7 SHARP SMD or Through Hole | IR3M49U7.pdf | |
![]() | 1658821-1 | 1658821-1 TYCOELECTRONICS SMD or Through Hole | 1658821-1.pdf | |
![]() | 1825-0053(2AW4-0003) | 1825-0053(2AW4-0003) MARVELL BGA | 1825-0053(2AW4-0003).pdf | |
![]() | 98-0166TR | 98-0166TR IR SMD or Through Hole | 98-0166TR.pdf |