창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5276B (DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5276B (DO-35) | |
관련 링크 | 1N5276B (, 1N5276B (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1.5SMC8.2CA-E3/9AT | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB | 1.5SMC8.2CA-E3/9AT.pdf | |
![]() | SIT9122AI-1D3-25E625.000000T | OSC XO 2.5V 625MHZ OE | SIT9122AI-1D3-25E625.000000T.pdf | |
![]() | 20J1K0E | RES 1K OHM 10W 5% AXIAL | 20J1K0E.pdf | |
![]() | 73350N7 | 73350N7 NA SOP8 | 73350N7.pdf | |
![]() | CT100F22-6-DB | CT100F22-6-DB ITW SMD or Through Hole | CT100F22-6-DB.pdf | |
![]() | S3C2410A20-YOR0 | S3C2410A20-YOR0 SAMSUNG ORIGINAL | S3C2410A20-YOR0.pdf | |
![]() | OMAP2531BZAC | OMAP2531BZAC ORIGINAL BGA | OMAP2531BZAC.pdf | |
![]() | 20H4037 | 20H4037 ORIGINAL QFP | 20H4037.pdf | |
![]() | A723MAL | A723MAL ORIGINAL SOP | A723MAL.pdf | |
![]() | A6818EA | A6818EA ORIGINAL SMD or Through Hole | A6818EA.pdf | |
![]() | CL-790S-2WN | CL-790S-2WN CITIZEN ROHS | CL-790S-2WN.pdf | |
![]() | BXA40-24S05-SM | BXA40-24S05-SM ARTESYN SMD or Through Hole | BXA40-24S05-SM.pdf |