창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5273BDO35 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5273B 1N5273BDO35MSTR 1N5273BDO35MSTR-ND 1N5273BMSTR 1N5273BMSTR-ND 1N5273DO35 1N5273DO35MSTR 1N5273DO35MSTR-ND | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 91V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5273BDO35 | |
| 관련 링크 | 1N5273, 1N5273BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C333J1RACTU | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C333J1RACTU.pdf | |
![]() | AT0805DRE073K83L | RES SMD 3.83K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE073K83L.pdf | |
![]() | RT1206CRD076K81L | RES SMD 6.81KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD076K81L.pdf | |
![]() | AMS1117-3.3 SOP | AMS1117-3.3 SOP AMS SOP | AMS1117-3.3 SOP.pdf | |
![]() | 4N25FR2M | 4N25FR2M FAIRCHILD SOP-6 | 4N25FR2M.pdf | |
![]() | MAX336CAI | MAX336CAI MAX SMD or Through Hole | MAX336CAI.pdf | |
![]() | MSC7110-01 | MSC7110-01 OKI DIP42 | MSC7110-01.pdf | |
![]() | 06122F104Z8B20ECA | 06122F104Z8B20ECA PHILIPS 1206 | 06122F104Z8B20ECA.pdf | |
![]() | SFV16R-2STBE1LF | SFV16R-2STBE1LF FCI PCS | SFV16R-2STBE1LF.pdf | |
![]() | S3C825AC55-QWRA | S3C825AC55-QWRA SAMSUNG QFP | S3C825AC55-QWRA.pdf | |
![]() | LQ035Q3DG01 | LQ035Q3DG01 SHARP SMD or Through Hole | LQ035Q3DG01.pdf | |
![]() | SV1G476M08009 | SV1G476M08009 SAMWHA SMD or Through Hole | SV1G476M08009.pdf |