창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5259B (DO-35) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 30V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5259B (DO-35) | |
| 관련 링크 | 1N5259B (, 1N5259B (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37425IAT | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37425IAT.pdf | |
![]() | HSMSC110CATL | HSMSC110CATL avago INSTOCKPACK3000 | HSMSC110CATL.pdf | |
![]() | 1812N151J302NT | 1812N151J302NT NOVACAP SMD | 1812N151J302NT.pdf | |
![]() | HFI-201209-R39J | HFI-201209-R39J ORIGINAL SMD | HFI-201209-R39J.pdf | |
![]() | IDT77105 | IDT77105 IDT TQFP64 | IDT77105.pdf | |
![]() | CSD58870Q5D | CSD58870Q5D TI SMD or Through Hole | CSD58870Q5D.pdf | |
![]() | PS211M | PS211M SOP SHAEP | PS211M.pdf | |
![]() | STV0199B | STV0199B ST QFP64 | STV0199B.pdf | |
![]() | PPTC161LFBN-RC | PPTC161LFBN-RC SUL SMD or Through Hole | PPTC161LFBN-RC.pdf | |
![]() | HPD730 | HPD730 BK SMD or Through Hole | HPD730.pdf | |
![]() | CAL.RDE | CAL.RDE EAOSECME SMD or Through Hole | CAL.RDE.pdf |