창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m | |
관련 링크 | k4j52324qe-bc14 , k4j52324qe-bc14 GDDR3 512m 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MKP385424100JKI2B0 | 0.24µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP385424100JKI2B0.pdf | |
![]() | SCRH104R-3R3 | 3.3µH Shielded Inductor 6.7A 15 mOhm Max Nonstandard | SCRH104R-3R3.pdf | |
![]() | 4494R-395 | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 1.7 Ohm 8-SMD | 4494R-395.pdf | |
![]() | RCS08051R43FKEA | RES SMD 1.43 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08051R43FKEA.pdf | |
![]() | RK09K11100E9 | RK09K11100E9 ALPS SMD or Through Hole | RK09K11100E9.pdf | |
![]() | 1N4468 | 1N4468 MOT/ON TO-92 | 1N4468.pdf | |
![]() | 7101SYZB | 7101SYZB C&K SMD or Through Hole | 7101SYZB.pdf | |
![]() | ST163C12CCF | ST163C12CCF IR SMD or Through Hole | ST163C12CCF.pdf | |
![]() | ROS-5150-119 | ROS-5150-119 MINI SMD or Through Hole | ROS-5150-119.pdf | |
![]() | B3GB005Z | B3GB005Z ORIGINAL SMD or Through Hole | B3GB005Z.pdf | |
![]() | CXP80116-682Q | CXP80116-682Q SONY QFP | CXP80116-682Q.pdf | |
![]() | VI-319-DP-RC-S | VI-319-DP-RC-S Varitronix LCD | VI-319-DP-RC-S.pdf |