창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTP25012EFHTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTP25012EFH | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1459 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 210mV @ 400mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 500 @ 10mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 310MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXTP25012EFHTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTP25012EFHTA | |
| 관련 링크 | ZXTP2501, ZXTP25012EFHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 125E2C5.5 | FUSE CRTRDGE 125A 5.5KVAC NONSTD | 125E2C5.5.pdf | |
![]() | RT0805CRC073K83L | RES SMD 3.83KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC073K83L.pdf | |
![]() | IRLWI520A | IRLWI520A IR TO- | IRLWI520A.pdf | |
![]() | HE-040MAP | HE-040MAP MAP SMD or Through Hole | HE-040MAP.pdf | |
![]() | TRIH-12D-FD-2AM-R-F | TRIH-12D-FD-2AM-R-F TTI SMD or Through Hole | TRIH-12D-FD-2AM-R-F.pdf | |
![]() | KM29U6400AIT | KM29U6400AIT SAMSUNG TSOP44 | KM29U6400AIT.pdf | |
![]() | AZ8103 | AZ8103 AXE SMD | AZ8103.pdf | |
![]() | S202TA1 | S202TA1 SHARP SMD or Through Hole | S202TA1.pdf | |
![]() | GRP0332C1E510JD01E | GRP0332C1E510JD01E MURATA SMD | GRP0332C1E510JD01E.pdf | |
![]() | FCR25-F-P10R010 | FCR25-F-P10R010 PDC SMD or Through Hole | FCR25-F-P10R010.pdf | |
![]() | RM73B2H | RM73B2H KOA SMD | RM73B2H.pdf | |
![]() | MC74HC04G | MC74HC04G ON SOIC-14 | MC74HC04G.pdf |