창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXTP2008ZTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXTP2008ZTA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1460 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5.5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 175mV @ 500mA, 5.5A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
주파수 - 트랜지션 | 110MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZXTP2008ZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXTP2008ZTA | |
관련 링크 | ZXTP20, ZXTP2008ZTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 1N4763CE3/TR13 | DIODE ZENER 91V 1W DO204AL | 1N4763CE3/TR13.pdf | |
![]() | 1812-151K | 150nH Unshielded Inductor 818mA 300 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-151K.pdf | |
![]() | XCS30-TQ144 | XCS30-TQ144 XILINX SMD or Through Hole | XCS30-TQ144.pdf | |
![]() | TX-1014 | TX-1014 N/A DIP5 4 | TX-1014.pdf | |
![]() | HBLS2012-3N9S | HBLS2012-3N9S HY SMD or Through Hole | HBLS2012-3N9S.pdf | |
![]() | LA7282M | LA7282M SANYO SOP-24 | LA7282M.pdf | |
![]() | APT2012QWF/F | APT2012QWF/F KINGBRIGHT PBFREE | APT2012QWF/F.pdf | |
![]() | UPD703030BGF-A21-3BA | UPD703030BGF-A21-3BA NEC QFP100 | UPD703030BGF-A21-3BA.pdf | |
![]() | CL55B224KGINNNN | CL55B224KGINNNN SAMSUNG SMD | CL55B224KGINNNN.pdf | |
![]() | LFI7927 | LFI7927 ORIGINAL 10P | LFI7927.pdf | |
![]() | HTM1735LF | HTM1735LF MSI SMD or Through Hole | HTM1735LF.pdf | |
![]() | NRWP681M10V8X11.5F | NRWP681M10V8X11.5F NICCOMP DIP | NRWP681M10V8X11.5F.pdf |