창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTN2007ZTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTN2007ZTA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1460 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 190mV @ 300mA, 6.5A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 140MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXTN2007ZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTN2007ZTA | |
| 관련 링크 | ZXTN20, ZXTN2007ZTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C1608X8R2A222M080AE | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X8R2A222M080AE.pdf | |
![]() | VJ0603D151GLBAR | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151GLBAR.pdf | |
![]() | AC2512FK-0739KL | RES SMD 39K OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-0739KL.pdf | |
![]() | RT0805CRC074K3L | RES SMD 4.3K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC074K3L.pdf | |
![]() | CSRFG20520T | CSRFG20520T AGERE QFN | CSRFG20520T.pdf | |
![]() | HL22W560MRXPF | HL22W560MRXPF HITACHI DIP | HL22W560MRXPF.pdf | |
![]() | LTE-3271T-A | LTE-3271T-A LITEON DIP | LTE-3271T-A.pdf | |
![]() | MD59-0010TR | MD59-0010TR M/ACOM SSOP | MD59-0010TR.pdf | |
![]() | AXK7L22227G | AXK7L22227G NAIS SMD or Through Hole | AXK7L22227G.pdf | |
![]() | 3.6864m | 3.6864m s SMD or Through Hole | 3.6864m.pdf | |
![]() | JV2N711 | JV2N711 MOT CAN | JV2N711.pdf | |
![]() | SR32-T3-LF | SR32-T3-LF WTE SMD or Through Hole | SR32-T3-LF.pdf |