창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTN19020DGTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTN19020DG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1459 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 9A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 450mA, 9A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 160MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXTN19020DGTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTN19020DGTA | |
| 관련 링크 | ZXTN190, ZXTN19020DGTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | BZW04-5V8B-E3/54 | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL | BZW04-5V8B-E3/54.pdf | |
![]() | ASVTX-11-121-19.200MHZ-T | 19.2MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 1.8mA | ASVTX-11-121-19.200MHZ-T.pdf | |
![]() | ITR-8402 | ITR-8402 ORIGINAL DIP | ITR-8402.pdf | |
![]() | IDT71V3578S133BGZ | IDT71V3578S133BGZ IDT BGA | IDT71V3578S133BGZ.pdf | |
![]() | MMX-E-1H-224JT | MMX-E-1H-224JT LRC SOT-23 | MMX-E-1H-224JT.pdf | |
![]() | MB90099PFVG001BND | MB90099PFVG001BND FUJITSU SMD or Through Hole | MB90099PFVG001BND.pdf | |
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![]() | LT2626IDD | LT2626IDD LT QFN-10 | LT2626IDD.pdf | |
![]() | OP194E | OP194E PIM SOP | OP194E.pdf | |
![]() | SN74HC30157ADBTI | SN74HC30157ADBTI TI SSOP | SN74HC30157ADBTI.pdf | |
![]() | ASKHC2BB4AC | ASKHC2BB4AC ORIGINAL SMD or Through Hole | ASKHC2BB4AC.pdf | |
![]() | IXA237SD | IXA237SD SHARP DIP | IXA237SD.pdf |