창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTD09N50DE6TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTD09N50DE6 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1465 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 270mV @ 50mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 215MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXTD09N50DE6TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTD09N50DE6TA | |
| 관련 링크 | ZXTD09N5, ZXTD09N50DE6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9002AC-08N25ST | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA Standby | SIT9002AC-08N25ST.pdf | |
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![]() | 0805 1.6R | 0805 1.6R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 1.6R.pdf | |
![]() | V8535150 | V8535150 ORIGINAL DFN10 | V8535150.pdf | |
![]() | 50HF40 | 50HF40 IR SMD or Through Hole | 50HF40.pdf | |
![]() | dp225d1200t102000 | dp225d1200t102000 DANFOSS SMD or Through Hole | dp225d1200t102000.pdf | |
![]() | RXE030-2 | RXE030-2 RAYCHEM STOCK | RXE030-2.pdf | |
![]() | RO2113A | RO2113A RFM SMD or Through Hole | RO2113A.pdf | |
![]() | 54104-32P | 54104-32P ORIGINAL NA | 54104-32P.pdf |