창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXT10P40DE6TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXT10P40DE6 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 190MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ZXT10P40DE6TATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXT10P40DE6TA | |
| 관련 링크 | ZXT10P4, ZXT10P40DE6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | VM14156-G/835-5706-030 | VM14156-G/835-5706-030 VLSI DIP | VM14156-G/835-5706-030.pdf | |
![]() | VAI110M-1403 | VAI110M-1403 ORIGINAL SMD or Through Hole | VAI110M-1403.pdf | |
![]() | HCPLM700-500E | HCPLM700-500E AVAGO SOP | HCPLM700-500E.pdf | |
![]() | LG-KH3900 | LG-KH3900 NA PRESS | LG-KH3900.pdf |