창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN6A09KTC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMN6A09KTC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 7.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1426pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.15W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | ZXMN6A09KTCTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN6A09KTC | |
| 관련 링크 | ZXMN6A, ZXMN6A09KTC 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RG1005V-2051-P-T1 | RES SMD 2.05K OHM 1/16W 0402 | RG1005V-2051-P-T1.pdf | |
![]() | CMF60150R00BHEK | RES 150 OHM 1W .1% AXIAL | CMF60150R00BHEK.pdf | |
![]() | K3S7V2000M-TC10TH0 | K3S7V2000M-TC10TH0 SAMSUNG TSOP | K3S7V2000M-TC10TH0.pdf | |
![]() | DSM10E-TR | DSM10E-TR SMD SMA | DSM10E-TR.pdf | |
![]() | AG25-48D12-6 | AG25-48D12-6 EMERSON SMD or Through Hole | AG25-48D12-6.pdf | |
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![]() | HT084A-NEOFB87 | HT084A-NEOFB87 HanTouch SMD or Through Hole | HT084A-NEOFB87.pdf | |
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![]() | QMT08-1001-005 | QMT08-1001-005 ORIGINAL QFP | QMT08-1001-005.pdf | |
![]() | FQN3690L10F | FQN3690L10F HBA QFP- | FQN3690L10F.pdf | |
![]() | ST2600C20R1L | ST2600C20R1L IR module | ST2600C20R1L.pdf | |
![]() | 2SD1841 | 2SD1841 SANYO TO-3P | 2SD1841.pdf |