창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN3G32DN8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN3G32DN8 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 472pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 1034-ZXMN3G32DN8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN3G32DN8TA | |
관련 링크 | ZXMN3G3, ZXMN3G32DN8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CYRF6986-40LTXC | CYRF6986-40LTXC CY SMD or Through Hole | CYRF6986-40LTXC.pdf | |
![]() | 54F550DM | 54F550DM NSC/S CDIP | 54F550DM.pdf | |
![]() | 74ALVCH162836G | 74ALVCH162836G TI TSSOP56 | 74ALVCH162836G.pdf | |
![]() | BAS70-04B5000 | BAS70-04B5000 Infineon PG-SOT23-3 | BAS70-04B5000.pdf | |
![]() | MAX810RTR | MAX810RTR ON SOT-23 | MAX810RTR.pdf | |
![]() | APL5102-28AI-TRL | APL5102-28AI-TRL ANPEC SOT23-3 | APL5102-28AI-TRL.pdf | |
![]() | MS1403P-55 | MS1403P-55 IOMI DIP20 | MS1403P-55.pdf | |
![]() | WM35AA-240A | WM35AA-240A Struthers SMD or Through Hole | WM35AA-240A.pdf | |
![]() | BF-SB100505-481 | BF-SB100505-481 caliberelectronicscom/pdfs/bfsbpdf PBFREEOHM | BF-SB100505-481.pdf | |
![]() | AD7548JRZ | AD7548JRZ AD SOP | AD7548JRZ.pdf |