창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2A01E6TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN2A01E6 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 303pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXMN2A01E6TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2A01E6TA | |
관련 링크 | ZXMN2A0, ZXMN2A01E6TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
515D336M050AA6AE3 | 33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 515D336M050AA6AE3.pdf | ||
Y08500R10000G4W | RES SMD 0.1OHM 2% 1/2W 2516 WIDE | Y08500R10000G4W.pdf | ||
CRCW06032K43FKTB | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032K43FKTB.pdf | ||
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XVT9009 | XVT9009 RFM 5.07.0 | XVT9009.pdf | ||
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VUO82/12 | VUO82/12 IXYS SMD or Through Hole | VUO82/12.pdf | ||
G54781 | G54781 ORIGINAL MSOP8 | G54781.pdf |