창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXMN15A27KTC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXMN15A27K | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 169pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | ZXMN15A27KTCTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXMN15A27KTC | |
| 관련 링크 | ZXMN15A, ZXMN15A27KTC 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 1N6484-E3/96 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB | 1N6484-E3/96.pdf | |
![]() | IRGP6640DPBF | IGBT 600V 53A 200W TO247AC | IRGP6640DPBF.pdf | |
![]() | CRCW1206174KFKEA | RES SMD 174K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206174KFKEA.pdf | |
| RSMF2JBR330 | RES METAL OX 2W 0.33 OHM 5% AXL | RSMF2JBR330.pdf | ||
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![]() | BBSP4CH32PQS | BBSP4CH32PQS TEXAS SMD or Through Hole | BBSP4CH32PQS.pdf | |
![]() | BYT87-800 | BYT87-800 TFK TO-220 | BYT87-800.pdf | |
![]() | 1.5KE5.1CA | 1.5KE5.1CA VISHAY/ML DO-201 | 1.5KE5.1CA.pdf | |
![]() | TPS40007DGQE4 | TPS40007DGQE4 TI- SMD or Through Hole | TPS40007DGQE4.pdf |