창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXM66P02N8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXM66P02N8T(A, C) Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 3.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2068pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXM66P02N8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXM66P02N8TA | |
관련 링크 | ZXM66P0, ZXM66P02N8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VS-85HF140M | DIODE STD REC 85A DO-5 | VS-85HF140M.pdf | |
![]() | S0402-3N3F1S | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 80 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-3N3F1S.pdf | |
![]() | 15164468E | 15164468E FI DIP24 | 15164468E.pdf | |
![]() | GMBT2714-Y | GMBT2714-Y GTM SOT-23 | GMBT2714-Y.pdf | |
![]() | CLM5205M-2.85. | CLM5205M-2.85. CALOGIC SOT23-5 | CLM5205M-2.85..pdf | |
![]() | LT3495BEDDB-1#TRMPBF | LT3495BEDDB-1#TRMPBF LT SMD or Through Hole | LT3495BEDDB-1#TRMPBF.pdf | |
![]() | QL18-04 | QL18-04 GUERTE QL | QL18-04.pdf | |
![]() | DP8461 | DP8461 NS DIP | DP8461.pdf | |
![]() | 2SJ552STR-E | 2SJ552STR-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SJ552STR-E.pdf | |
![]() | 820-10-10-10-LF | 820-10-10-10-LF WEITRONIC SMD or Through Hole | 820-10-10-10-LF.pdf | |
![]() | EP1K200EBC600-3 | EP1K200EBC600-3 Altera SMD or Through Hole | EP1K200EBC600-3.pdf |