창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVNL110GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVNL110G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVNL110GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVNL110GTA | |
관련 링크 | ZVNL11, ZVNL110GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
416F30035ADR | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035ADR.pdf | ||
RT0603WRE0797R6L | RES SMD 97.6OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRE0797R6L.pdf | ||
Y00752K00000B9L | RES 2K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y00752K00000B9L.pdf | ||
CPCC1047R00JB32 | RES 47 OHM 10W 5% RADIAL | CPCC1047R00JB32.pdf | ||
M37420M6-463SP | M37420M6-463SP MIT DIP-52 | M37420M6-463SP.pdf | ||
7230143I75738 | 7230143I75738 ORIGINAL SOP-24P | 7230143I75738.pdf | ||
9971H | 9971H AP TO252 | 9971H.pdf | ||
SN74CBTLV3126DE4 * | SN74CBTLV3126DE4 * TIS Call | SN74CBTLV3126DE4 *.pdf | ||
KTF250B335M32NHT00 | KTF250B335M32NHT00 NIPPON SMD | KTF250B335M32NHT00.pdf | ||
EPS02 | EPS02 PASSED DIP | EPS02.pdf | ||
WR15-110S12 | WR15-110S12 YHT SMD or Through Hole | WR15-110S12.pdf |