창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN4206A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN4206A | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN4206A | |
관련 링크 | ZVN4, ZVN4206A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | ECH-U1H823JX9 | 0.082µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) | ECH-U1H823JX9.pdf | |
![]() | DSC1001CI5-026.0000T | 26MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI5-026.0000T.pdf | |
![]() | ATNY2313-20PU | ATNY2313-20PU AT DIP | ATNY2313-20PU.pdf | |
![]() | HN27C4001G12 | HN27C4001G12 HIT SMD or Through Hole | HN27C4001G12.pdf | |
![]() | P-80C52DAU-12 | P-80C52DAU-12 MHS DIP40 | P-80C52DAU-12.pdf | |
![]() | D01042 | D01042 ORIGINAL SOP- 8 | D01042.pdf | |
![]() | M50955-244SP | M50955-244SP MITSUBISHI/ DIP | M50955-244SP.pdf | |
![]() | IDTCV169NLG | IDTCV169NLG IDT QFN | IDTCV169NLG.pdf | |
![]() | ES18B15-P1J | ES18B15-P1J MW SMD or Through Hole | ES18B15-P1J.pdf | |
![]() | AP130-20YL-13 | AP130-20YL-13 DIODESINC SMD or Through Hole | AP130-20YL-13.pdf | |
![]() | HYM536100AM60B/HY514400ALJ60 | HYM536100AM60B/HY514400ALJ60 HYN SIMM | HYM536100AM60B/HY514400ALJ60.pdf |