창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN3306FTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN3306F | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 35pF @ 18V | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MC ZVN3306FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN3306FTA | |
| 관련 링크 | ZVN330, ZVN3306FTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-21-33E-65.536000E | OSC XO 3.3V 65.536MHZ OE | SIT8008BI-21-33E-65.536000E.pdf | |
![]() | AT0805DRE0733KL | RES SMD 33K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0733KL.pdf | |
![]() | RNF14BAE75K0 | RES 75K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE75K0.pdf | |
![]() | CMF652K7000FKBF | RES 2.7K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652K7000FKBF.pdf | |
![]() | A1LCSCAP | A1LCSCAP OFS BULK | A1LCSCAP.pdf | |
![]() | M58LW032C-110N1 | M58LW032C-110N1 ST SMD or Through Hole | M58LW032C-110N1.pdf | |
![]() | 3CD5B | 3CD5B CHINA SMD or Through Hole | 3CD5B.pdf | |
![]() | UPD431000AGW-B15 | UPD431000AGW-B15 NEC SMD or Through Hole | UPD431000AGW-B15.pdf | |
![]() | IX1890CE | IX1890CE SHARP DIP | IX1890CE.pdf | |
![]() | PRC212470M | PRC212470M CMD SSOP20 | PRC212470M.pdf | |
![]() | TGSP-DSL36SEP | TGSP-DSL36SEP HALO RJ45 | TGSP-DSL36SEP.pdf |