창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN2106GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN2106G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1468 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 710mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 18V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZVN2106GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN2106GTA | |
| 관련 링크 | ZVN210, ZVN2106GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ALD910016SALI | MOSFET DUAL SAB 1.6V 8SOIC | ALD910016SALI.pdf | |
![]() | HVR3700004324FR500 | RES 4.32M OHM 1/2W 1% AXIAL | HVR3700004324FR500.pdf | |
![]() | SQMR5330RF | RES 330 OHM 5W 1% RADIAL | SQMR5330RF.pdf | |
![]() | 61SS64-2 | OPTICAL ENCODER | 61SS64-2.pdf | |
![]() | PEB3465AV1.2 | PEB3465AV1.2 ORIGINAL SMD or Through Hole | PEB3465AV1.2.pdf | |
![]() | 292D475X9004R2T | 292D475X9004R2T VISHAY SMD | 292D475X9004R2T.pdf | |
![]() | LTC1289BCSW | LTC1289BCSW LT SMD or Through Hole | LTC1289BCSW.pdf | |
![]() | MST8011B-LF.. | MST8011B-LF.. MSTAR QFP | MST8011B-LF...pdf | |
![]() | ACGAE2.0 | ACGAE2.0 MOT BGA | ACGAE2.0.pdf | |
![]() | TP3067AG,AF | TP3067AG,AF TI SMD or Through Hole | TP3067AG,AF.pdf | |
![]() | AX1201728SI/SG | AX1201728SI/SG ORIGINAL SOP | AX1201728SI/SG.pdf | |
![]() | AMS500L-3.0 | AMS500L-3.0 AMS SOT89-3 | AMS500L-3.0.pdf |