창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN2106ASTZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN2106ASTZ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 450mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 18V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | E-Line-3 | |
공급 장치 패키지 | E-Line(TO-92 호환) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN2106ASTZ | |
관련 링크 | ZVN210, ZVN2106ASTZ 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
DMN65D8LW-7 | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 | DMN65D8LW-7.pdf | ||
OP268FC | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.5V 50mA 0.36mW/cm² @ 20mA 104° Radial | OP268FC.pdf | ||
IMC1812ES2R2J | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 700 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES2R2J.pdf | ||
MCA12060D4532BP100 | RES SMD 45.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D4532BP100.pdf | ||
1W329 | 1W329 TWEPC SMD | 1W329.pdf | ||
T012-20 | T012-20 LUCENT PLCC | T012-20.pdf | ||
MNA2+ | MNA2+ MINI QFN-8 | MNA2+.pdf | ||
LTN121XJ-L02 | LTN121XJ-L02 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN121XJ-L02.pdf | ||
760-3-R510 | 760-3-R510 CTS DIP | 760-3-R510.pdf | ||
NCP15WD683F03RC | NCP15WD683F03RC muRata O402 | NCP15WD683F03RC.pdf | ||
TMM520DB023GQ | TMM520DB023GQ ORIGINAL SMD or Through Hole | TMM520DB023GQ.pdf |