창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZDX080N50 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZDX080N50 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | ZDX080N50CT ZDX080N50CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZDX080N50 | |
| 관련 링크 | ZDX08, ZDX080N50 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CMF55120R00FKEB | RES 120 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55120R00FKEB.pdf | |
![]() | CP0025470R0JB14 | RES 470 OHM 25W 5% AXIAL | CP0025470R0JB14.pdf | |
![]() | 12F60 | 12F60 IR SMD or Through Hole | 12F60.pdf | |
![]() | 74AUP1G386GM | 74AUP1G386GM PHILIPS SMD or Through Hole | 74AUP1G386GM.pdf | |
![]() | k1305 | k1305 TOBI SMD or Through Hole | k1305.pdf | |
![]() | 98GL016A40FQ002 | 98GL016A40FQ002 SPANSION LBGA | 98GL016A40FQ002.pdf | |
![]() | MAZ3360ML | MAZ3360ML PANASONIC SOT23 | MAZ3360ML.pdf | |
![]() | 1SS293(F) | 1SS293(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS293(F).pdf | |
![]() | CCR06CG132JRV | CCR06CG132JRV KEMET DIP | CCR06CG132JRV.pdf | |
![]() | TZ03R200B169B00 | TZ03R200B169B00 MURATA DIP | TZ03R200B169B00.pdf | |
![]() | MC74LVX74DR2 | MC74LVX74DR2 ON SOP-14 | MC74LVX74DR2.pdf | |
![]() | VI-BNY-IW | VI-BNY-IW VICOR SMD or Through Hole | VI-BNY-IW.pdf |