창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-Y216S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | Y216S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-4 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | Y216S | |
| 관련 링크 | Y21, Y216S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385513040JII2B0 | 1.3µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) | MKP385513040JII2B0.pdf | |
![]() | 416F40012IDR | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40012IDR.pdf | |
![]() | 416F37023CLT | 37MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37023CLT.pdf | |
![]() | VS-20ETF08S-M3 | DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB | VS-20ETF08S-M3.pdf | |
![]() | R5F3651KDFC#U0 | R5F3651KDFC#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F3651KDFC#U0.pdf | |
![]() | RJ3-25V470ME3 | RJ3-25V470ME3 ELNA DIP | RJ3-25V470ME3.pdf | |
![]() | FU2407 | FU2407 IR TO-251 | FU2407.pdf | |
![]() | 42692.. | 42692.. ON SOP14 | 42692...pdf | |
![]() | 4K02 | 4K02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4K02.pdf | |
![]() | HCPL3140 | HCPL3140 AGILENT SOP8 | HCPL3140.pdf | |
![]() | D030X10-12V1.45 | D030X10-12V1.45 DEL SMD or Through Hole | D030X10-12V1.45.pdf | |
![]() | 68737-110H | 68737-110H FCI con | 68737-110H.pdf |