창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-XCV2600E-6FGG1156C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | XCV2600E-6FGG1156C | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | XCV2600E-6FGG1156C | |
| 관련 링크 | XCV2600E-6, XCV2600E-6FGG1156C 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | ECW-H12152HVB | 1500pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | ECW-H12152HVB.pdf | |
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![]() | QL3012-1PF100C | QL3012-1PF100C ORIGINAL SMD or Through Hole | QL3012-1PF100C.pdf | |
![]() | E007271J | E007271J THAILANO QFN | E007271J.pdf | |
![]() | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | FH12-14S-0.5SV(50) | FH12-14S-0.5SV(50) HRS SMD | FH12-14S-0.5SV(50).pdf | |
![]() | HD6437044E43F | HD6437044E43F RENSAS SMD or Through Hole | HD6437044E43F.pdf | |
![]() | BD45312G-TR | BD45312G-TR ROHM SMD or Through Hole | BD45312G-TR.pdf | |
![]() | SKKH19/06E | SKKH19/06E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH19/06E.pdf |