창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-XC3S2000FG676EGQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | XC3S2000FG676EGQ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | XC3S2000FG676EGQ | |
| 관련 링크 | XC3S2000F, XC3S2000FG676EGQ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | MKP385436063JKI2B0 | 0.36µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.354" W (31.50mm x 9.00mm) | MKP385436063JKI2B0.pdf | |
![]() | ZVN2106GTA | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | ZVN2106GTA.pdf | |
![]() | RMCF1206FT430R | RES SMD 430 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT430R.pdf | |
![]() | GMS87C2120 | GMS87C2120 ABOV DIP | GMS87C2120.pdf | |
![]() | 41EE | 41EE AT&T DIP | 41EE.pdf | |
![]() | BL-HJFG6B534S-TRB | BL-HJFG6B534S-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HJFG6B534S-TRB.pdf | |
![]() | K6R1008C1C-KI12 | K6R1008C1C-KI12 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R1008C1C-KI12.pdf | |
![]() | C8051FO | C8051FO ORIGINAL QFP | C8051FO.pdf | |
![]() | 501635-0519 | 501635-0519 MOLEX SMD or Through Hole | 501635-0519.pdf | |
![]() | B39901B7726C610 | B39901B7726C610 EPCOS SMD | B39901B7726C610.pdf | |
![]() | HSM2694 / B3 | HSM2694 / B3 HITACHI SOT-23 | HSM2694 / B3.pdf |