창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-X60003DIG3Z-41 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | X60003DIG3Z-41 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT23-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | X60003DIG3Z-41 | |
| 관련 링크 | X60003DI, X60003DIG3Z-41 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SMG100VBR33RM5X11LL | 0.33µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 401.818 Ohm 2000 Hrs @ 85°C | SMG100VBR33RM5X11LL.pdf | |
![]() | GP1M003A080PH | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | GP1M003A080PH.pdf | |
![]() | 450V2200UF 65X105 | 450V2200UF 65X105 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V2200UF 65X105.pdf | |
![]() | LU5K308 | LU5K308 ORIGINAL DIP | LU5K308.pdf | |
![]() | C2012X5R1H332KT | C2012X5R1H332KT TDK SMD or Through Hole | C2012X5R1H332KT.pdf | |
![]() | NANDDBR4N5AZCC5E | NANDDBR4N5AZCC5E KOREA BGA | NANDDBR4N5AZCC5E.pdf | |
![]() | X020MN-5SA4 | X020MN-5SA4 ST SOT-223 | X020MN-5SA4.pdf | |
![]() | TX1012 | TX1012 RAYTRON SMD or Through Hole | TX1012.pdf | |
![]() | HC1J338M30025HA180 | HC1J338M30025HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HC1J338M30025HA180.pdf | |
![]() | CFS206 32.768KDZB-UB | CFS206 32.768KDZB-UB CITIZEN SMD or Through Hole | CFS206 32.768KDZB-UB.pdf | |
![]() | GDDES1101AA | GDDES1101AA INTEL BGA | GDDES1101AA.pdf | |
![]() | 86172-0000 | 86172-0000 MOLEX SMD or Through Hole | 86172-0000.pdf |