창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-WU-B-D-3102-3200-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | WU-B-D-3102-3200-2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | WU-B-D-3102-3200-2 | |
| 관련 링크 | WU-B-D-310, WU-B-D-3102-3200-2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LVB14A-M3/5B | TVS DIODE 12VWM 19.5VC SMB | LVB14A-M3/5B.pdf | |
![]() | ABM11-38.400MHZ-18-BY-T3 | 38.4MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11-38.400MHZ-18-BY-T3.pdf | |
![]() | SIT8209AI-82-33E-125.003125T | OSC XO 3.3V 125.003125MHZ OE | SIT8209AI-82-33E-125.003125T.pdf | |
![]() | LQW15AN2N4B00D | 2.4nH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 50 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN2N4B00D.pdf | |
![]() | CMF5527K000FHBF | RES 27K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5527K000FHBF.pdf | |
![]() | DEF-PL-USB-BLASTER-RCN | DEF-PL-USB-BLASTER-RCN Altera SMTDIP | DEF-PL-USB-BLASTER-RCN.pdf | |
![]() | TLC5970RHPRG4 | TLC5970RHPRG4 TI/BB VQFN28 | TLC5970RHPRG4.pdf | |
![]() | CAT5112VI-10v | CAT5112VI-10v CATALYST SOIC8 | CAT5112VI-10v.pdf | |
![]() | C1206ZRY5V7BB474 1206-474Z | C1206ZRY5V7BB474 1206-474Z YAGEO SMD or Through Hole | C1206ZRY5V7BB474 1206-474Z.pdf | |
![]() | LM155AH/883Q | LM155AH/883Q NS SMD or Through Hole | LM155AH/883Q.pdf | |
![]() | X0502GE-240 | X0502GE-240 SHARP DIP-64 | X0502GE-240.pdf | |
![]() | BMXY11449101 | BMXY11449101 UNIDEN SMD or Through Hole | BMXY11449101.pdf |